DDR5현존 최고인 초당 8기가비트 이상 속도 구현
인텔,르네사스와 글로벌 협업 통해 신개념 제품 개발 선도

MCR DIMM

[동양일보 이정규 기자]SK하이닉스가 신개념을 도입한 세계 최고속 서버용 D램 제품인 ‘DDR5MCR DIMM’<사진>의 샘플 개발에 세계 최초로 성공했다.

9일 SK하이닉스에 따르면 이번 제품은 동작 속도가 초당 8Gb(기가비트) 이상으로, 초당 4.8Gb인 서버용 DDR5보다 속도가 80%넘게 빨라졌다.

SK하이닉스는 이번 MCR DIMM개발에서 DDR5의 동작 속도를 높이기 위해 새로운 개념이 도입됐다고 설명했다.

그동안 DDR5의 속도는 D램 단품의 동작 속도에 좌우된다는 것이 일반적인 인식이었다.

하지만 이번 제품에서는 D램 단품이 아닌, 모듈을 통해 속도를 높이는 방향으로 개발이 진행됐다.

SK하이닉스 기술진은 MCR DIMM에 탑재한 데이터 버퍼(Buffer)를 사용해 D램 모듈의 기본 동작 단위인 랭크 2개가 동시 작동하도록 설계했다.

이에 따라 보통의 D램 모듈에서는 1개 랭크에서 한번에 64바이트(Byte)의 데이터가 CPU(중앙정보처리장치)에 전송되지만, MCR DIMM에서는 2개의 랭크가 동시 동작해 128바이트가 CPU에 전송된다.

이처럼 모듈에서 CPU로 가는 회당 데이터 전송량을 늘림으로써 SK하이닉스는 D램 단품보다 2배 가까이 빠른, 8Gbps이상의 속도를 구현해냈다.

SK하이닉스는 이번 제품 개발을 성공하는 데 미국 인텔(Intel), 일본 르네사스(Renesas)와의 글로벌 협업이 주효했다고 강조했다.

SK하이닉스 류성수 부사장(DRAM상품기획담당)은 “당사의 모듈 설계 역량에 인텔의 서버 CPU와 르네사스의 버퍼 기술력이 융합되면서 이번 제품 개발이 가능했다”며 “실제 MCR DIMM이 안정적으로 성능을 내려면, 모듈 내외에서 함께 동작하는 데이터 버퍼와 서버 CPU간의 상호작용이 매우 중요하다”고 말했다.

또 “세계 최고 속도의 MCR DIMM개발을 통해 당사는 또 한번 DDR5의 기술력 진화를 이뤄냈다”며 “앞으로도 당사는 기술한계 돌파를 위해 지속적으로 노력하여,서버용 D램 시장에서 1등 경쟁력을 공고히 하겠다”고 덧붙였다.

인텔의 디미트리오스 지아카스 메모리 IO 기술부문 부사장은 “인텔은 SK하이닉스와 함께 당사의 차세대 서버 CPU에 최적화돼 적용될 초고속 제품 개발을 주도해왔다”며 “앞으로도 양사는 MCR DIMM의 표준화와 후속 제품 개발을 위해 긴밀히 협업하겠다”고 말했다.

르네사스의 사미르 쿠파할리 메모리 인터페이스 부문 부사장은 “이번에 르네사스가 개발한 데이터 버퍼는 제품의 구상부터 완성까지 3년 동안 여러 기술이 집약된 노력의 결실”이라며, “SK하이닉스,인텔과 협업해 혁신적인 제품을 개발하게 돼 자랑스럽다”고 밝혔다.

SK하이닉스는 향후 고성능 컴퓨팅 시장에서 MCR DIMM의 수요가 크게 늘어날 것으로보고 있다. 이정규 기자 siqjaka@dynews.co.kr


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